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6月13日，據Evertiq報道，全球最大的半導體代工廠臺積電宣布其先進后端晶圓廠Fab 6開業(yè)啟用，這是該公司首個一體自動化先進封裝和測試晶圓廠，實現了前后端制程與測試服務的3DFabric整合。

該晶圓廠準備量產TSMC-SoIC（集成芯片系統(tǒng)）工藝技術，將使臺積電能夠為其3DFabric先進封裝和芯片堆疊技術（如SoIC、InFO、CoWoS和先進測試）分配產能，從而提高生產良率和效率。

報道稱，先進后端Fab 6于2020年開始建設，旨在支持下一代HPC、AI、移動應用等產品，幫助客戶實現產品成功并贏得市場機會。該晶圓廠位于中國臺灣竹南科學園區(qū)，占地面積達14.3公頃，是臺積電迄今為止最大的先進后道晶圓廠，其潔凈室面積超過臺積電其它先進后端晶圓廠的總和。

臺積電在一份新聞稿中估計，該晶圓廠每年將有能力生產超過100萬片12英寸晶圓等效3DFabric工藝技術的能力，以及每年超過1000萬小時的測試服務。

今年4月26日，臺積電在美國加州圣克拉拉市舉行了2023年度北美技術論壇，會上著重介紹了3DFabric技術。據介紹，這個技術主要由先進封裝、三維芯片堆疊和設計等三部分組成。通過先進封裝，可以在單一封裝中置入更多處理器及存儲器，從而提升運算效能；在設計支持上，臺積電推出開放式標準設計語言的最新版本，協(xié)助芯片設計人員處理復雜大型芯片。

有市場消息稱，目前被全球大模型廠商追捧的英偉達H100計算芯片，就是基于臺積電3DFabric技術，利用其中的CoWoS技術將6顆原本已經很昂貴的第三代高頻記憶體(HBM3)連接起來，從而令每顆記憶體擴充到80GB、每秒3TB的超高速資料傳輸。

臺積電此前曾在聲明中稱，硅含量在汽車、數據中心、物聯(lián)網、智能手機、HPC相關應用中不斷增加，這些現代工作負載需要封裝技術創(chuàng)新，因此晶圓設計必須采用更全面的系統(tǒng)級優(yōu)化方法。該公司將這種優(yōu)化指向了“3D堆疊和先進封裝技術”。